DDR5 几乎没有上架，但三星已经确认它已经在开发下一代 RAM。据报道，这家韩国科技巨头在其 2021 年技术日活动中深入了解了几种下一代内存标准，包括 DDR6、GDDR6+、GDDR7 和 HBM3。

三星表示，其 DDR6 标准的开发已经开始，并将得到 JEDEC 的协助，JEDEC 是一个由 300 多名成员组成的半导体工程组织，其中包括一些世界上最大的计算机公司。

该报告提到该标准的完成可能会在 2024 年实现，但考虑到 DDR5 刚刚推出（并且已经受到供应问题的影响），第 6 代 DDR 内存更有可能在 2025 年或 2026 年到货。

在 DDR6 内存的技术规格方面，数据传输速率将比其前身翻倍。因此，除了在超频模块上实现 17,000 Mbps 之外，它还能够在 JEDEC 模块上以大约 12,800 Mbps 的速度运行——这是 DDR4 的四倍。

至于每个模块的内存通道数量，DDR6 也将增加一倍，将 4 个 16 位通道连接到 64 个内存条。

GDDR（图形双倍数据速率）专门与显卡兼容，是 GPU 的组成部分。不要将它与涵盖系统内存的 DDR RAM 混淆。

在其他地方，三星计划在 GDDR7 不可避免的推出之前推出 GDDR6+ 标准。据报道，它将达到高达 24Gbps 的速度，因此允许未来的 256 位 GPU 具有高达 768GB/s 的带宽。此外，据说具有 320/352/384 位总线布局的 GPU 可实现超过 1TB/s 的带宽。

超越 GDDR6 的细化，GDDR7 有望达到高达 32Gbps 的传输速度。据说三星还将实时错误保护功能纳入标准。正如 Wccftech 指出的那样，GDDR7 内存将能够通过 384 位总线接口提供 1.5TB/s 的速度，通过 512 位系统提供高达 2TB/s 的速度。

GDDR7 标准何时最终确定尚无时间表，因此消费者必须同时接受 GDDR6+。

三星触及的另一个下一代内存标准是 HBM3。第三代高带宽内存将在 2022 年第二季度进入量产阶段。该公司提到 HBM3 的速度为 800Gbps，这将为未来需要如此高内存性能水平的 CPU 和 GPU 提供动力。三星还强调了该技术对人工智能应用的适用性。